郑州某半导体器件办理芯片手工生产厂，晶圆加工厂操作过程中形成含硅、氟的比较特殊工业电镀废水，方案办理的规模1200吨/日。工业电镀废水材质较为复杂，含奈米级硅颗料及盐酸，傳統办理方法步骤无从未达标。 污水成份及起源 首要的污染源 ：溶液硅（100-500nm颗粒直径）、氟正离子（200-300mg/L）、异丙醇 源于繁琐流程 ：晶圆刻蚀废水处理方法处理（45%）、CMP有机化学机器镜面抛光废水处理方法处理（40%）、专用设备清扫冲洗水（15%） 进行处理的工艺工艺设计 企业创新采用了"物理沉淀物+重型膜分离出来"技木交通路线： 钙盐沉垫 ：加药系统氯化钙彻底清除氟正离子（合成CaF2沉垫） 斜管沉淀池生理反应 ：分手后复合斜板沉淀池剂体现胶体溶液硅脱稳 管式微滤 ：0.1μm管径膜截流微细颗粒肥料 反侵入装置 ：脱盐率>98%，回收利用率75% 减压蒸馏晶体 ：浓水段达成氟化物零直接排放 终结实际效果 氟化物浓度值：<8mg/L（不超过欧洲国家二级标准规定10mg/L） 硅水分含量：<5mg/L 水影视资源造纸废水处理率：70%于冷确塔补充水分 垃圾减药：减压蒸馏碎渣量较过去工艺技术降低60%